內存術語解釋_硬件術語大全

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硬件術語大全:內存術語解釋

內存種類
目前,桌面平臺所采用的內存為DDR1/DDR2/DDR3三種,其中DDR1內存已經基本上被淘汰,而DDR2和DDR3是目前的主流。三種類型DDR內存之間,從內存控制器到內存插槽都互不兼容。即使是一些在同時支持兩種類型內存的Combo主板上,兩種規格的內存也不能同時工作,只能使用其中一種內存。


內存容量是指該內存條的存儲容量,是內存條的關鍵性參數。內存容量以MB作為單位,可以簡寫為M。內存的容量一般都是2的整次方倍,比如512MB、1GB、2GB等,一般而言,內存容量越大越有利于系統的運行。


內存主頻和CPU主頻一樣,習慣上被用來表示內存的速度,它代表著該內存所能達到的最高工作頻率。內存主頻是以MHz(兆赫)為單位來計量的。內存主頻越高在一定程度上代表著內存所能達到的速度越快。內存主頻決定著該內存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前較為主流的內存頻率是800MHz的DDR2內存,以及1333MHz的DDR3內存。

內存的速度:內存的速度是以每筆CPU與內存間數據處理耗費的時間來計算,為總線循環(bus cycle)以奈秒(ns)為單位。

內存模塊 (Memory Module):提到內存模塊是指一個印刷電路板表面上有鑲嵌數個記憶體芯片chips,而這內存芯片通常是DRAM芯片,但近來系統設計也有使用快取隱藏式芯片鑲嵌在內存模塊上內存模塊是安裝在PC 的主機板上的專用插槽(Slot)上鑲嵌在Module上DRAM芯片(chips)的數量和個別芯片(chips)的容量,是決定內存模塊的設計的主要因素。


內存控制器(Memory Controller)
內存控制器是計算機系統內部控制內存并且通過內存控制器使內存與CPU之間交換數據的重要組成部分。內存控制器決定了計算機系統所能使用的最大內存容量、內存BANK數、內存類型和速度、內存顆粒數據深度和數據寬度等等重要參數,也就是說決定了計算機系統的內存性能,從而也對計算機系統的整體性能產生較大影響。

內存時序參數
內存時序(CL)由“CL-tRCD-tRP-tRAS”四個參數組成,一定程度上反映出了該內存在CPU接到讀取內存數據的指令后,到正式開始讀取數據所需的等待時間。不難看出同頻率的內存,CL設置低的更具有速度優勢。一般我們在查閱內存的時序參數時,如“8-8-8-24”這一類的數字序列,上述數字序列分別對應的參數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。

內存SPD
SPD(Serial Presence Detect): SPD是一顆8針的EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM 電可擦寫可編程只讀存儲器), 容量為256字節,里面主要保存了該內存的相關資料,如容量、芯片廠商、內存模組廠商、工作速度等。SPD的內容一般由內存模組制造商寫入。支持SPD的主板在啟動時自動檢測SPD中的資料,并以此設定內存的工作參數。
 

BANK:BANK是指內存插槽的計算單位(也有人稱為記憶庫),它是計算機系統與內存間資料匯流的基本運作單位。
  

SIMM (Single In-line Memory Module):電路板上面焊有數目不等的記憶IC,可分為以下2種型態:
  


SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) (144PIN): 這是一種改良型的DIMM模塊,比一般的DIMM模塊來得小,應用于筆記型計算機、列表機、傳真機或是各種終端機等。

PLL: 為鎖相回路,用來統一整合時脈訊號,使內存能正確的存取資料。

6層板和4層板(6 layers V.S. 4 layers): 指的是電路印刷板PCB Printed Circuit Board用6層或4層的玻璃纖維做成,通常SDRAM會使用6層板,雖然會增加PCB的成本但卻可免除噪聲的干擾,而4層板雖可降低PCB的成本但效能較差。

Register:是緩存器的意思,其功能是能夠在高速下達到同步的目的。

Parity和ECC的比較:同位檢查碼(parity check codes)被廣泛地使用在偵錯碼(error detection codes)上,他們增加一個檢查位給每個資料的字元(或字節),并且能夠偵測到一個字符中所有奇(偶)同位的錯誤,但Parity有一個缺點,當計算機查到某個Byte有錯誤時,并不能確定錯誤在哪一個位,也就無法修正錯誤。

緩沖器和無緩沖器(Buffer V.S. Unbuffer):有緩沖器的DIMM 是用來改善時序(timing)問題的一種方法無緩沖器的DIMM雖然可被設計用于系統上,但它只能支援四條DIMM。若將無緩沖器的DIMM用于速度為100Mhz的主機板上的話,將會有存取不良的影響。而有緩沖器的DIMM則可使用四條以上的內存,但是若使用的緩沖器速度不夠快的話會影響其執行效果。換言之,有緩沖器的DIMM雖有速度變慢之虞,但它可以支持更多DIMM的使用。
  
自我充電 (Self-Refresh):DRAM內部具有獨立且內建的充電電路于一定時間內做自我充電, 通常用在筆記型計算機或可攜式計算機等的省電需求高的計算機。

預充電時間 (CAS Latency):通常簡稱CL。例如CL=3,表示計算機系統自主存儲器讀取第一筆資料時,所需的準備時間為3個外部時脈 (System clock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準備時間,相差一個時脈,對整個系統的效能并無顯著影響。

時鐘信號 (Clock):時鐘信號是提供給同步內存做訊號同步之用,同步記憶體的存取動作必需與時鐘信號同步。

電子工程設計發展聯合會議 (JEDEC):JEDEC大部分是由從事設計、發明的制造業尤以有關計算機記憶模塊所組成的一個團體財團,一般工業所生產的記憶體產品大多以JEDEC所制定的標準為評量。

只讀存儲器ROM (Read Only Memory):ROM是一種只能讀取而不能寫入資料之記燱體,因為這個特所以最常見的就是主機板上的 BIOS (基本輸入/輸出系統Basic Input/Output System)因為BISO是計算機開機必備的基本硬件設定用來與外圍做為低階通信接口,所以BISO之程式燒錄于ROM中以避免隨意被清除資料。

EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM):為一種將資料寫入后即使在電源關閉的情況下,也可以保留一段相當長的時間,且寫入資料時不需要另外提高電壓,只要寫入某一些句柄,就可以把資料寫入內存中了。

EPROM (Erasable Programmable ROM):為一種可以透過紫外線的照射將其內部的資料清除掉之后,再用燒錄器之類的設備將資料燒錄進 EPROM內,優點為可以重復的燒錄資料。

來源:電腦硬件DIY吧  作者:電腦diy愛好者  更新時間:2010-08-10 22:46
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